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TI的达芬奇系列是一款面向数字媒体应用的处理器平台,包括了多种DSP芯片,如: TMS320DM6446:这是第一颗达芬奇(DaVinci)芯片,是1个ARM968核心处理器与1个C64x+ DSP核心处理器的结合。TMS320DM6437:这是3GPP R4以及H.264编码的硬件解码器。TMS320DM6467:这是一个基于ARM11MPCore的处理器,搭配了1个ARM1176JZF-S核心与1个C674x DSP核心。TMS320DM8168:这是首款支持1080p 60 H.264硬
W25Q64JVSSIQ:一款高性能的NOR FLASH存储芯片 引言 在当今的高科技时代,存储器芯片在各种电子设备中发挥着至关重要的作用。随着数据量的不断增长和计算速度的提升,存储器芯片的性能和速度也必须随之提高。本文将介绍一款由WINBOND(华邦)品牌封装的SOP-8-208mil的NOR FLASH存储芯片,型号为W25Q64JVSSIQ。这款芯片具有64M-bit/8M-byte的存储容量,同时支持SPI接口,工作速度高达133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI
1月24日消息,据外媒报道,三星将在今年晚些时候推出一款入门级Galaxy Z Fold 6折叠屏手机,以“提高折叠屏手机市场的渗透率”。 虽然折叠屏手机现在非常普遍,但它们仍然非常昂贵,对大多数人来说还是遥不可及的。例如,最新的三星Galaxy Z Fold 5 售价为1800美元,大多数竞争对手的价格也都差不多。然而,三星可能正努力通过推出一款更实惠的“入门级”折叠屏手机 来解决这个问题。 早在2022年,就有传言称,三星正在开发一款更实惠的折叠屏手机,将于2024年上市。而2023年11
据麦姆斯咨询报道,综合电子元器件全球制造商村田(Murata)近日发布了一款新的6轴MEMS惯性传感器SCH16T-K01,可实现高精度机器控制和定位应用。这款传感器成为村田下一代6轴SCH16T系列的首款产品,未来该系列还将推出更多版本的产品。 村田利用久经行业验证的3D MEMS工艺升级并强化了SCH16T系列产品。该传感器旨在满足市场对更优定位解决方案的需求,提供了无与伦比的性能水平,由多个添加的时间同步功能提供支持。 SCH16T-K01包括一颗先进的MEMS陀螺仪,其典型零偏不稳定性
人工视觉芯片是一种感算一体化的图像传感器,能够单芯片完成图像获取和原位实时智能图像处理等任务,是一种典型的边端型智能感知系统芯片。它可以被广泛应用于自动驾驶、敏捷机器人、智能无人机、混合现实和工业机器视觉等前沿邻域。目前的人工视觉芯片以多比特实数数据形式在片上进行图像信息的获取、表达、处理和传输,面临处理数据量大、深度神经网络计算复杂度高、电路复杂、片上存储开销大、处理延迟和功耗大等诸多的设计和应用挑战。 中国科学院半导体研究所刘力源研究员带领团队在脉冲型人工视觉芯片设计领域取得重要进展。团队
据悉,LG将在今年的消费电子展上展示一款名为“MyView”的32英寸4K家用显示器/智能电视混合产品。该公司宣布,它们将“有多种颜色,包括淡白色、浅米色、淡粉色和淡绿色”。它们将有三种变体,售价分为599.99美元和499.99美元。LG表示,将“晚些时候”宣布在美国上市。 LG新型智能LED显示屏的规格和设计语言与三星M8非常相似。它们都有多种颜色,有一点现代iMac设计的味道,但有更多的可调节支架(都支持对高度、倾斜和旋转进行调整)。每台显示器都可以用附带的遥控器作为智能电视使用,所有新
不受束缚的磁性微型软机器人能够进入难以到达的区域,可以实现安全、破坏性和微创的医疗程序,然而,软体限制了非磁性外部刺激源在机器人上的集成,从而限制了此类机器人的功能。最近,在《自然通讯》中发表了一篇论文,研究人员受穿山甲启发开发磁控软体医疗机器人。 穿山甲是一种迷人的生物,这种动物看起来像一个行走的松果,因为它是唯一一种全身覆盖着坚硬鳞片的哺乳动物。穿山甲的鳞片由角蛋白制成,就像我们的头发和指甲一样,这些鳞片重叠并直接连接到下面的软皮肤层,可以在他们遇到危险的时候蜷缩成一团。 斯图加特马克斯·
氧气是生命不可缺少的元素之一,但氧气浓度并不是越高越好,正常人吸氧的浓度一般在20%~30%左右,超过的话容易造成氧中毒。目前,氧气传感器是检测氧浓度的重要手段,类型一般可分为电化学氧气传感器、荧光氧传感器和氧化锆氧气传感器等,它们都具有各自的特性,分别适用不同的使用场景。 荧光猝灭原理 AOX4000荧光氧气产品图 奥松电子20余年来一直致力于智能传感器的研发制造,积累了丰富的经验技术,继多款电化学氧气传感器后,奥松电子又自主研发一款基于荧光猝灭原理的荧光氧气传感器AOX4000。当氧敏膜被
    穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,简称TMR),就是利用了量子隧穿。      TMR 参数是描述电子通过磁性隧道结的电阻变化的效应,这是一个纯粹的量子效应,其背后的物理机制就是量子隧穿。在TMR效应中,两个磁性电极之间的绝缘层非常薄(下图示意图中的中间层,只有几个纳米),电子可以通过量子隧穿效应穿过这个绝缘层。当两个磁性电极的磁化方向并行时,电子的隧穿概率大;而当两个磁性电极的磁化方向反并行时,电子的隧穿概率小,从而造成了电阻的变化。       提及绝
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